- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Bežné príčiny poškodenia nosnej dosky
2022-04-26
1 Analýza príčin poškodenia procesora
Poškodenie integrovaného procesora základnej dosky je problém, ktorému je potrebné venovať pozornosť v procese používania základnej dosky na sekundárny vývoj. Zahŕňa najmä (okrem iného) nasledujúce situácie:
(1) Periférne zariadenia alebo externé moduly vymeniteľné za chodu so zapnutým napájaním, ktoré spôsobujú poškodenie integrovaného procesora základnej dosky.
(2) Pri používaní kovových predmetov počas procesu ladenia bude IO ovplyvnený elektrickým namáhaním v dôsledku falošného dotyku, čo má za následok poškodenie IO, alebo dotyk niektorých komponentov dosky spôsobí okamžitý skrat na zem, čo spôsobí súvisiace obvody a jadrové dosky. Poškodený procesor.
(3) Počas procesu ladenia sa prstami priamo dotýkajte podložiek alebo kolíkov čipu a statická elektrina ľudského tela môže poškodiť zabudovaný procesor základnej dosky.
(4) V dizajne samostatne vyrobenej základnej dosky sú neprimerané miesta, ako je nesúlad úrovní, nadmerný zaťažovací prúd, prekmit alebo podkmit atď., ktoré môžu spôsobiť poškodenie palubného procesora základnej dosky.
(5) Počas procesu ladenia dochádza k ladeniu kabeláže periférneho rozhrania. Zapojenie je nesprávne alebo druhý koniec vedenia je vo vzduchu, keď sa dotkne iných vodivých materiálov a zapojenie IO je nesprávne. Je poškodený elektrickým namáhaním, čo vedie k poškodeniu procesora základnej dosky.
2 Analýza príčin poškodenia IO procesora
(1) Po skratovaní IO procesora s napájaním vyšším ako 5 V sa procesor nenormálne zahrieva a poškodí.
(2) Vykonajte ±8KV kontaktné vybitie na IO procesora a procesor sa okamžite poškodí.
Poškodenie integrovaného procesora základnej dosky je problém, ktorému je potrebné venovať pozornosť v procese používania základnej dosky na sekundárny vývoj. Zahŕňa najmä (okrem iného) nasledujúce situácie:
(1) Periférne zariadenia alebo externé moduly vymeniteľné za chodu so zapnutým napájaním, ktoré spôsobujú poškodenie integrovaného procesora základnej dosky.
(2) Pri používaní kovových predmetov počas procesu ladenia bude IO ovplyvnený elektrickým namáhaním v dôsledku falošného dotyku, čo má za následok poškodenie IO, alebo dotyk niektorých komponentov dosky spôsobí okamžitý skrat na zem, čo spôsobí súvisiace obvody a jadrové dosky. Poškodený procesor.
(3) Počas procesu ladenia sa prstami priamo dotýkajte podložiek alebo kolíkov čipu a statická elektrina ľudského tela môže poškodiť zabudovaný procesor základnej dosky.
(4) V dizajne samostatne vyrobenej základnej dosky sú neprimerané miesta, ako je nesúlad úrovní, nadmerný zaťažovací prúd, prekmit alebo podkmit atď., ktoré môžu spôsobiť poškodenie palubného procesora základnej dosky.
(5) Počas procesu ladenia dochádza k ladeniu kabeláže periférneho rozhrania. Zapojenie je nesprávne alebo druhý koniec vedenia je vo vzduchu, keď sa dotkne iných vodivých materiálov a zapojenie IO je nesprávne. Je poškodený elektrickým namáhaním, čo vedie k poškodeniu procesora základnej dosky.
2 Analýza príčin poškodenia IO procesora
(1) Po skratovaní IO procesora s napájaním vyšším ako 5 V sa procesor nenormálne zahrieva a poškodí.
(2) Vykonajte ±8KV kontaktné vybitie na IO procesora a procesor sa okamžite poškodí.
Pomocou prevodu zapnutia a vypnutia multimetra zmerajte porty procesora, ktoré boli skratované 5V napájaním a poškodené ESD. Zistilo sa, že IO bol skratovaný na GND procesora a napájacia doména súvisiaca s IO bola tiež skratovaná na GND.
Predchádzajúce:Dizajn nosnej dosky
